BJT vs FET
Zarówno BJT (Bipolar Junction Transistor) i FET (Field Effect Transistor) to dwa rodzaje tranzystorów. Tranzystor to elektroniczne urządzenie półprzewodnikowe, które generuje bardzo zmienny elektryczny sygnał wyjściowy dla małych zmian małych sygnałów wejściowych. Dzięki tej jakości urządzenie może być używane jako wzmacniacz lub przełącznik. Tranzystor został wydany w latach pięćdziesiątych XX wieku i można go uznać za jeden z najważniejszych wynalazków XX wieku, biorąc pod uwagę jego wkład w rozwój IT. Przetestowano różne typy architektur tranzystorów.
Bipolarny tranzystor złączowy (BJT)
BJT składa się z dwóch złączy PN (złącza utworzonego przez połączenie półprzewodnika typu p i półprzewodnika typu n). Te dwa złącza są tworzone przez połączenie trzech elementów półprzewodnikowych w kolejności PNP lub NPN. Dostępne są dwa typy BJT znane jako PNP i NPN.
Trzy elektrody są podłączone do tych trzech części półprzewodnikowych, a środkowy przewód nazywany jest „podstawą”. Pozostałe dwa skrzyżowania to „emiter” i „kolektor”.
W BJT prąd dużego emitera kolektora (Ic) jest kontrolowany przez prąd małej podstawy emitera (IB) i ta właściwość jest wykorzystywana do projektowania wzmacniaczy lub przełączników. Tam za to można uznać za urządzenie napędzane prądem. BJT jest najczęściej stosowany w obwodach wzmacniacza.
Tranzystor polowy (FET)
FET składa się z trzech terminali znanych jako „bramka”, „źródło” i „dren”. Tutaj prąd drenu jest kontrolowany przez napięcie bramki. Dlatego FET są urządzeniami sterowanymi napięciem.
W zależności od typu półprzewodnika używanego jako źródło i dren (w tranzystorze FET oba są wykonane z tego samego typu półprzewodnika), tranzystor FET może być kanałem N lub kanałem P. Przepływ prądu źródła do drenu jest kontrolowany poprzez regulację szerokości kanału poprzez przyłożenie odpowiedniego napięcia do bramki. Istnieją również dwa sposoby kontrolowania szerokości kanału, znane jako zubożenie i wzmocnienie. Dlatego tranzystory FET są dostępne w czterech różnych typach, takich jak kanał N lub kanał P, w trybie wyczerpywania lub wzmacniania.
Istnieje wiele typów tranzystorów FET, takich jak MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów) i IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką). CNTFET (Carbon Nanotube FET), który powstał w wyniku rozwoju nanotechnologii, jest najnowszym członkiem rodziny FET.
Różnica między BJT i FET
1. BJT jest zasadniczo urządzeniem napędzanym prądem, chociaż FET jest uważany za urządzenie sterowane napięciem.
2. Zaciski BJT są znane jako emiter, kolektor i podstawa, podczas gdy FET składa się z bramki, źródła i drenu.
3. W większości nowych aplikacji tranzystory FET są używane niż tranzystory BJT.
4. BJT wykorzystuje do przewodzenia zarówno elektrony, jak i dziury, podczas gdy FET wykorzystuje tylko jeden z nich i stąd określa się je jako tranzystory unipolarne.
5. Tranzystory FET są energooszczędne niż tranzystory BJT.
